原标题:江西永修-年产1764吨半导体材料建设项目扩产建设项目可行性研究报告
随着国家近年来对新材料的重视以及国内半导体行业的加快速度进行发展,电子特种气体等半导体材料在国内半导体行业的地位日渐增长,市场规模巨大。为配合国家政策发展,顺应半导体产业国产化的潮流,深化公司在高端半导体材料领域的业务布局,提升公司产品覆盖领域和综合竞争力,公司将通过江西华特在现有空余场地上扩建生产基地,扩大现有特种气体生产规模,同时进一步丰富特种气体产品品种类型,以满足日渐增长的市场需求。
本项目总投资 46,600.00 万元,预计建设期为 2 年,建成后将生产高纯一氧化碳、高纯一氧化氮、高纯六氟丙烷及异构体、电子级溴化氢、电子级三氯化硼、超高纯氢气、超纯氪气、超纯氖气、超纯氦气和超纯氙气共 1,764 吨,详细情况如下:
公司本投项目中的年产1,764吨半导体材料建设项目建成后生产的产品有电子级三氯化硼,其原材料为三氯化硼粗品,经对比《环境保护综合名录(2021 年版)》,三氯化硼属于“高污染、高环境风险”产品。
电子级三氯化硼是用于半导体和集成电路领域的高纯度三氯化硼,其纯度要达到 99.999%以上。电子级三氯化硼主要使用在于电子工业硅半导体器件和集成电路生产所用的扩散、离子注入、干法蚀刻等工艺,在氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体也有广泛应用,可用于铝、二硅化钼、二硅化钨、钛硅合金等金属、金属化合物、合金材料的蚀刻,拥有丰富的应用场景和较强的无法替代性。
电子级三氯化硼目前在半导体领域较强的无法替代性体现在铝金属布线的蚀刻方面。铝是半导体制备中最主要的导线材料,具有电阻低、易于淀积和刻蚀等优点。铝金属布线的刻蚀一般会用氯,铝和氯反应产生具挥发性的三氯化铝(AlCl3),三氯化铝可随其它蚀刻腔内的气体一起被抽离。但由于纯氯气蚀刻铝是各向同性的,其横向纵向均被刻蚀,反应过程难以控制,且铝在常温下表面极易氧化生成氧化铝,氧化铝阻碍了刻蚀的正常进行,因此广泛使用氯基气体三氯化硼。三氯化硼可将自然氧化层还原、保证刻蚀的进行,且其还容易与氧气和水反应,可吸收反应腔内的水汽和氧气,以此来降低氧化铝的生成速率。
与三氯化硼同类性质的产品还有三氟化硼,但由于氟基气体蚀刻金属铝得到的生成物三氟化铝(AlF3)是低蒸汽压非挥发性的产物,会附着于蚀刻腔体的内壁上形成颗粒物,易导致产品不良,因此无法替代三氯化硼用于蚀刻铝金属布线。经对比《环境保护综合名录(2021 年版)》,三氟化硼系“高环境风险”产品。
电子级三氯化硼的杂质含量和纯度直接影响半导体器件和集成电路的性能指标和良率,其纯度一般要求在 5N 以上,生产技术壁垒较高。目前,全球电子级三氯化硼主要由日本宇部兴产、日本昭和电工等国外气体厂商垄断,属于被外资企业“卡脖子”的关键产品,对我国集成电路产业链的自主可控产生了较大威胁,下游客户的国产化需求迫切。近年来,同行业公司绿菱气体、大连保税区科利德化工科技开发有限公司及派瑞特气亦对三氯化硼产品做扩产布局。
公司本投项目规划电子级三氯化硼共 300 吨,主要目标是对目前我国集成电路等领域使用的电子级三氯化硼产品做某些特定的程度的国产替代。本次募投项目投向电子级三氯化硼,将进一步提升半导体材料国产化率,同时加强完善公司电子特气产品布局,扩充公司气体产品品种类型,为公司后续的业绩增长提供产能支撑,贡献新的利润增长点。
本次募投项目投向生产电子级三氯化硼的设备购置金额为 5,807.00 万元,大多数都用在购买纯化设备、生产设备、分析控制管理系统、充装设备、安全环保设备、辅助设备及存储包装容器。
除上述设备投资外,本次募投项目中电子级三氯化硼需与别的产品共用生产车间、洁净车间等主体建筑工程及配套设施。
综上,本次募投投向电子级三氯化硼的设备购置金额 5,807.00 万元,占年产1,764 吨半导体材料建设项目设备购置总额的 19.23%,主体建筑工程及配套设施与其他募投产品共用。
本次项目电子级三氯化硼设计产能为 300 吨/年,电子级三氯化硼预计T+6年完全达产,完全达产后预计产量为300吨/年,预计产生的年收入为4,560.00万元。
本次项目电子级三氯化硼完全达产的预计产量为 300 吨/年,满产情况下占 2021 年度公司特种气体产量比例为 1.60%,占募投项目产量比例为 17.01%;满产预计产生的年收入为 4,560.00 万元,占 2021 年度公司特种气体收入比例为5.72%,占本次募投项目收入比例 6.17%,占比均较小。
半导体是数字化的经济产业转型、双循环等国家重大发展的策略的基础性、先导性产业,我国“十四五”规划对半导体产业链中包括先进制程、高端 IC 设计和先进封装技术、关键的半导体设备和材料、第三代半导体等领域各个关键“卡脖子”环节提供重点支持。电子特种气体作为关键的半导体材料之一,被大范围的使用在半导体制作的完整过程中清洗、刻蚀、成膜、掺杂等工艺环节,被誉为半导体产业的“血液”。
目前,国内半导体用电子气体市场集中程度极高,市场占有率主要被美国空气化工、德国林德、日本昭和电工、法国液化空气等国际巨头垄断,严重制约了我国半导体产业的健康稳定发展。在当前半导体产业环境和国际形势下,国际贸易摩擦、全球性疫情等因素更是增加了半导体供应链的不确定性。
公司始终致力于电子特种气体国产化,并打破极大规模集成电路、新型显示面板等尖端领域气体材料进口制约的气体厂商,已逐步实现了高纯六氟乙烷、高纯三氟甲烷、光刻气、高纯四氟化碳、高纯二氧化碳、高纯一氧化碳、高纯八氟丙烷等数十种产品的进口替代。本次募投项目的高纯一氧化碳、高纯一氧化氮、电子级溴化氢、电子级三氯化硼、超高纯氢气等产品大范围的应用于半导体生产的蚀刻、掺杂、沉积等工艺,通过本项目的实施将扩大公司电子特种气体的生产规模,进一步提升半导体材料国产化率。
电子特种气体作为关键的半导体材料之一,被大范围的使用在半导体制作的完整过程中清洗、刻蚀、成膜、掺杂等工艺环节,涉及的品种广泛。因此,半导体制造企业往往需要上游特种气体供应商具备多种类、高纯度、高稳定性的生产能力。
经过多年的发展与积累,公司目前已具备 200 多种气体生产能力,但相较于国际巨头在产品覆盖面上仍存在一定差距。通过本项目的实施,公司将新增高纯六氟丙烷、电子级溴化氢、电子级三氯化硼等产品的生产能力,加强完善公司电子特气产品布局,扩充公司气体产品品种类型,为公司后续的业绩增长提供产能支撑,贡献新的利润增长点。
特种气体作为新材料领域的关键性材料之一,大范围的应用于集成电路、显示面板、光伏能源、光纤光缆、新能源汽车、航空航天、环保、医疗等领域,近年来得到国家政策的全力支持。国家发改委、科技部、工信部、财政部等多部门相继出台多部新兴起的产业有关政策,均明确提及并部署了气体产业的发展,有力推动了气体产业的发展。
2018 年,国家统计局发布的《战略性新兴起的产业分类(2018)》中,在“1.2.3高储能和关键电子材料制造”的重点产品和服务中包括了“超高纯度气体外延用原料”“3.3.6 专用化学品及材料制造”中重点产品和服务中包括了“电子大宗气体,电子特种气体”,明确将电子特种气体列为战略性新兴起的产业;2019 年,国家发展改革委发布的《产业体系调整指导目录(2019 年本)》中,超净高纯试剂、光刻胶、电子气、高性能液晶材料等新型精细化学品的开发与生产属于鼓励类;2021 年,中国工业与信息化部发布的《重点新材料首批次应用示范指导目录(2021 年版)》中,高纯四氟化碳、高纯六氟乙烷、高纯三氟甲烷、高纯一氧化碳等多种电子特种气体产品均在目录当中。
因此,本项目的实施符合国家的产业政策,具备比较好的发展的潜在能力和市场发展前途,有关政策的有力支持为此次募投项目的实施奠定了良好的基础。
(2)半导体产业的迅速发展及国产替代的行业趋势为本次项目提供了广阔的市场前景
随着信息化、智能化技术的加快速度进行发展,半导体芯片及器件产品在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子等领域得到普遍应用,集成电路市场规模实现迅速增加。同时,近年来全球半导体、显示面板等电子产业链不断向亚洲、中国大陆地区转移,国内半导体市场发展迅速。
根据 WSTS 资料显示,全球半导体产业销售额已从 2000 年的 2,044 亿美元增长至 2020 年的4,404 亿美元,并从中国台湾、日本、韩国向中国大陆转移。2020 年中国大陆半导体销售额达 1,515 亿美元,超过全球销售额的三分之一,已成为全世界半导体产业重要的生产和消费基地,产业规模和产业聚群效应明显,相关领域的加快速度进行发展将带动下游电子特气等半导体材料的增量需求。
据前瞻产业研究院多个方面数据显示,2015-2020 年国内半导体材料呈稳定增长态势,2020 年国内半导体材料市场规模达到 97.6 亿美元,特种气体作为关键的半导体材料之一,市场规模也一直增长。2015-2020 年我国电子特种气体行业市场规模持续上升,2020 年已达到 173.6 亿元。
此外,目前我国电子特种气体主要市场占有率被国际巨头垄断,在当前半导体产业环境和国际形势下,国际贸易摩擦、全球性疫情等因素增加了半导体供应链的不确定性,而半导体产业链国产化是我国实现数字化的经济产业转型、双循环等国家重大发展的策略的必经之路。未来,电子特种气体国产替代未来市场发展的潜力巨大。
综上,电子特种气体乃至半导体材料市场规模持续增长,以及国产替代趋势凸显,将为本项目产品产能消化提供广阔的市场前景。
本次募集资金投资项目的产品目标客户为半导体企业,与公司现在存在客户资源高度重合。目前,公司已成功实现了对国内 8 寸以上集成电路制造厂商超过 80%的客户覆盖率,解决了长江存储、中芯国际、华虹宏力、华润微电子、台积电(中国)等客户多种气体材料的进口制约,并进入了英特尔(Intel)、美光科技(Micon)、德州仪器(TI)、台积电(TSMC)、SK 海力士(Hynix)、英飞凌等全球领先的半导体企业供应链体系。
公司部分产品已批量供应 14nm、7nm等产线,并且公司的部分氟碳类产品已进入到 5nm 的工艺使用。公司的光刻气产品(Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne)通过了 ASML 和 GIGAPHOTON的认证,是国内唯一通过两家认证的气体公司。公司优质的客户及市场基础为本次募投项目提供了有力保障。
本项目将由公司全资子公司江西华特电子化学品有限公司作为实施主体,实施地点为江西省九江市永修县经济开发区星火工业园,该场地为公司现在存在场地。
本项目建设期 24 个月,经测算,项目完全达产后年均出售的收益为 71,305.49万元,年均净利润约 12,077.47 万元。项目投资回收期为 6.82 年(所得税后,含建设期),财务内部收益率(所得税后)为 19.80%。
本项目预计所有收入全部来源于产品营销售卖收入,无其他收入来源。本项目计算时采取了审慎原则,在产品及服务的定价方面与公司现有销售价格或市场价格相比,采取了较为保守的估价来计算未来收益。销售单价初始参考公司报告期内产品销售单价及市场报价,后续考虑市场供需及技术升级,假设除稀有气体外的产品每两年价格下调 5%。
在销量方面,公司综合考虑未来下游集成电路领域市场发展情况、现有及潜在客户的需求状况、公司产品的竞争优势、销售策略等因素,结合公司自身业务发展规划情况,确定项目的产能释放进度和每年销量。
本项目预计 T+6 年完全达产,对于高纯六氟丙烷、电子级溴化氢、电子级三氯化硼产品,考虑到相关产品为新产品,需要一定的客户验证周期,从通过客户验证导入客户到产能完全释放所需的时间可能更长,基于谨慎性考虑预计其产能释放进度将慢于其他产品。
材料成本方面,公司根据本项目产品的生产工艺及物料平衡表,确定相关原材料耗用量,并依据目前原材料市场价格进行预计,除稀有气体原材料波动较大外,公司相关产品原材料主要为甲酸、硫酸等化工产品及对应产品的粗品,供应较为稳定,报告期内价格无大幅波动情况。公司基于谨慎性,未考虑原材料价格下降的影响。
直接人工方面,根据项目需要的员工人数进行预估,人均薪资参考 2021 年度江西华特特种气体车间人员平均薪资水平,并基于谨慎性考虑每年工资上浮5%。
折旧方面,依据项目所需的设备等固定资产原值,结合报告期内公司的折旧政策进行计提,与报告期保持一致。
运输费用方面,依据 2019 年度至 2021 年度特种气体运输费用占收入比例进行预估,按照当年收入的 6%确定。
本次项目为新增产能项目,期间费用考虑管理费用、销售费用、研发费用,未考虑债务融资,假设财务费用为 0。管理费用、销售费用、研发费用参考了公司 2019-2021 年管理费用、销售费用、研发费用占各年出售的收益比例的平均值并结合本次募投项目实际情况进行调整,按收入百分比法测算。
2、项目管理费用率 5%不含计入管理费用的与直接生产无关的固定资产折旧,相关折旧根据实际折旧金额额外计入管理费用。
本次募投项目销售费用率、研发费用率均高于发行人报告期平均值。管理费用率略低于发行人历史期平均值,主要原因一方面系 2019 年度因 IPO 工作产生的中介机构差旅费等费用较高,导致 2019 年度管理费用的占比较高;另一方面考虑到江西华特定位于公司特种气体和气体设备的生产基地,管理人员则主要集中于佛山本部,公司目前已有管理人员结构、组织结构,本次募投项目新增产能与管理人员新增数量并无明显的线性关系。本次募投项目销售费用率、管理费用率、研发费用率与发行人报告期内期间费用率无重大差异,整体谨慎合理。
本项目增值税按应纳税销售额乘以适用税率扣除当期允许抵扣的进项税后的余额计算,城市维护建设税按实际缴纳流转税额的 5%计缴,教育费附加按实际缴纳流转税额的 5%计缴,所得税按 25%计缴。
本次年产 1,764吨半导体材料建设项目扩产建设项目建设期 24 个月,经测算,项目完全达产后年均出售的收益为 71,305.49 万元,年均净利润约 12,077.47 万元。项目投资回收期为 6.82 年(所得税后,含建设期),财务内部收益率(所得税后)为 19.80%。
此报告为正式报告摘取部分。需编制政府立项、银行贷款、投资决策等用途可行性研究报告咨询思瀚产业研究院。